Лаборатория оверклокинга, созданная российскими оверклокерами с мировым именем.

Intel ведет переговоры с TSMC о выделении 3ннм мощностей, даже несмотря на предостережения от инвестиций в Тайвань

В последних сообщениях от известных экономических изданий сообщается, что Intel ведет переговоры с TSMC о выделении ее мощностей для производства будущих процессоров. Компания направит исполнительную делегацию на встречу с представителями TSMC в конце этого месяца, чтобы «застолбить за собой» 3 нм производственные мощности и гарантировать, что на интересы Intel не повлияют другие клиенты, такие как Apple. В рамках своей стратегии IDM 2.0 Intel решила производить свои продукты в основном как многочиповые модули, каждый из которых будет производиться по наиболее оптимальному для него техпроцессе. Технологический процесс N3 будет играть жизненно важную роль в производстве кристаллов с логикой и прочими контроллерами, предназначенных для продуктов 2023 года. К слову, первые тестовые образцы чипов, изготовленные по 3 нм техпроцессу будут доступны уже во втором квартале будущего года.
Одновременно с этим генеральный директор Intel Пэт Гелсинджер, выступая на конференции Fortune Brainstorm Tech, подчеркнул важность для американских разработчиков микросхем размещение производства полупроводников в самой Америке, и предостерег коллег от инвестирования в Тайвань (не называя конкретно TSMC). Такие заявления начали поступать на фоне геополитической неопределенности в регионе. В ответ на это заявление, сделанное для DigiTimes, генеральный директор TSMC Марк Лю преуменьшил значение этого вопроса и сказал, что на заявление Гелсингера не стоит отвечать. При этом TSMC и Samsung уже объявили об инвестициях в литейное производство чипов на территории США на несколько миллиардов долларов в попытке сделать глобальные цепочки поставок полупроводников более устойчивыми к любой ситуации с безопасностью, которая может возникнуть в Восточной Азии.

Похожие новости из раздела:

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *