В отчете DigiTimes говорится, что производители NAND чипов стремительно ускоряют разработки технологий 3D NAND с количеством слоем до 128 штук, что бы обеспечить массовое производство уже в 2020 году. Несмотря на то, что SK Hynix начала производить 96-слойную флэш-память NAND только в марте, компании Toshiba и Western Digital уже планируют внедрять 128-слойную линию производства, основанную на технологии TLC (Triple Level Cell), чтобы увеличить плотность, при этом избегая проблем с выходом годных чипов, которые могут постигнуть текущие версии QLC (Quad Level Cell).
Решение об ускорении развертывания NAND следующего поколения исходит из того факта, что на рынке по-прежнему наблюдается переизбыток флэш-памяти NAND, в основном благодаря зрелому процессу 64-слойной NAND.
Похожие новости из раздела:
- Western Digital разделит бизнес на 2 компании: по производству HDD и SSD.
- Сделка Western Digital и KIOXIA близка к своему завершению.
- Сообщается, что Kioxia заключила сделку по производству японских чипов с SK Hynix.
- Transcend представил флэш-накопитель промышленного класса с интерфейсом USB на базе памяти типа SuperMLC -JetFlash 740