Samsung рассказала о DDR6-12800, разработке GDDR7 и массовом производстве HBM3

[Всего голосов: 0    Средний: 0/5]

Во время проведения Samsung Tech Day 2021 компания представила несколько интересных идей о будущем технологий системной памяти и о том, как она планирует осуществлять свое производство. Начиная с последнего стандарта DDR5, компания намерена следовать документам JEDEC и предлагать некоторые модули с разгоном, которые превосходят спецификации, рекомендованные JEDEC. В то время как стандарт DDR5 определяет модули памяти с пропускной способностью 6400 МТ / с, Samsung будет разрабатывать модули, способные разгоняться до 8400 МТ / с. При этом они еще не подтверждены, так как все еще находятся в стадии разработки.
Компания также рассказала о стандарте DDR6, который якобы вдвое быстрее DDR5. Новый стандарт DDR6 все еще находится на ранней стадии разработки, и все, что мы знаем, это то, что количество каналов памяти на модуль увеличивается вдвое по сравнению с DDR5 – до четырех каналов. Количество банков памяти также увеличивается до 64.
Помимо DDR6 для настольных компьютеров и серверов, компания также работает над DDR6 с низким энергопотреблением (LPDDR6) для мобильных устройств. А вот память LPDDR5 от Samsung уже поступит в массовое производство с использованием процесса 1a нм в начале 2022 года. Базовая скорость для модулей DDR6 предположительно достигнет 12800 МТ / с, в то время как модули с разгоном покорят отметку в 17 000 МТ / с.
Затем Samsung рассказала о своих предложениях памяти для графических ускорителей, где в игру вступают GDDR и HBM. Ожидается, что появится новый стандарт GDDR – GDDR6+, который увеличивает скорость с 18 000 до 24 000 млн операций в секунду. Предпочтительным техпроцессом для GDDR6+ будет 1z нм, причем корейский гигант хочет начать производство этих модулей уже в этом месяце. 
После этого дорожные карты компании показывают, что стандарт GDDR7 заменит GDDR6+ и будет предлагать скорость 32000 МТ / с. В GDDR7 также будет представлена ​​новая функция под названием «функция защиты от ошибок в реальном времени», назначение и реализация которой пока неизвестны. Предположительно, это какая-то форма ECC для GDDR или что-то подобное.
Кроме того, компания упомянула, что память HBM3 будет готова к массовому производству во втором квартале 2022 года и будет предлагать скорость 800 ГБ / с.

Похожие новости из раздела:

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Главные события

Актуальные новости

Scroll Up