Компания SK hynix рассматривает передовую технологию корпусирования Intel EMIB для интеграции памяти HBM следующего поколения. Это может стать важным шагом для Intel Foundry, которая стремится укрепить позиции на рынке упаковки ИИ-чипов и составить конкуренцию TSMC.
На конференции Hot Chips 2026 представители SK hynix рассказали о развитии технологий интеграции HBM. В дорожной карте компании упоминаются сразу несколько вариантов упаковки TSMC — CoWoS-L, CoWoS-S и CoWoS-R. При этом отдельное место отведено Intel EMIB.
SK hynix, судя по представленной информации, не отказывается от сотрудничества с TSMC, а расширяет набор доступных решений. Такой подход позволит компании адаптировать упаковку памяти под требования разных заказчиков и снизить зависимость от одного поставщика. Технологии CoWoS широко применяются для объединения вычислительных кристаллов с HBM в составе ИИ-ускорителей. Однако растущий спрос на ускорители искусственного интеллекта привёл к ограниченной доступности передовых упаковочных мощностей TSMC. На этом фоне Intel EMIB может стать для производителей дополнительной платформой. В рамках презентации SK hynix также говорила о развитии интерфейса HBM. Если более ранние поколения памяти использовали около 1024 выводов, то HBM4 увеличивает их число примерно до 2048. Рост количества выводов повышает пропускную способность между памятью и вычислительным чипом, но одновременно усложняет проектирование корпуса. В таких системах требуется использовать больше TSV — сквозных кремниевых переходов, соединяющих вертикально расположенные кристаллы.
Для дальнейшего развития HBM SK hynix планирует сочетать несколько технологий:
- 2.5D-корпусирование;
- гибридное соединение кристаллов;
- вертикальную подачу питания;
- 3D-интеграцию DRAM;
- новые методы отвода тепла от многослойных стеков памяти.
Увеличение плотности соединений особенно важно для ИИ-ускорителей, которым требуется высокая пропускная способность памяти при сохранении приемлемого энергопотребления и тепловыделения.
Наибольший интерес представляет вариант Intel EMIB-T. В отличие от базовой концепции EMIB, эта технология использует TSV для вертикальной передачи питания через несколько размещённых друг над другом кристаллов. Такой принцип соответствует идее SK hynix по созданию 3D-модулей памяти с вертикальным распределением питания на уровне корпуса. Это может упростить интеграцию высоких стеков HBM и помочь решить часть проблем, связанных с ростом плотности компонентов. Важным преимуществом EMIB-T может стать отсутствие крупного кремниевого интерпозера, который используется в некоторых вариантах CoWoS. По оценкам отраслевых источников, стоимость EMIB-T в зависимости от конфигурации способна оказаться на 40–50% ниже, чем у решений TSMC CoWoS.techpowerup+1
Пока нет точных данных о конкретном заказчике или продукте SK hynix, который первым получит упаковку Intel EMIB. Публично подтверждено лишь то, что Intel EMIB вошла в число рассматриваемых технологий в рамках дорожной карты SK hynix. По данным отраслевых публикаций, массовое производство EMIB-T может начаться в 2027 году. При этом готовность самой технологии и выход годных компонентов ещё не означают немедленного перехода к крупносерийным поставкам: производителям предстоит решить вопросы совместимости подложек, теплового режима и стабильности соединений. Если Intel сможет обеспечить заявленную экономию и необходимый уровень производства, EMIB-T станет серьёзной альтернативой CoWoS для ИИ-ускорителей. Для SK hynix это, в свою очередь, возможность направить часть сэкономленных средств на увеличение выпуска HBM и укрепить позиции на быстрорастущем рынке памяти для искусственного интеллекта.