TSMC начинает строительство 2 нм производственного комплекса

[Всего голосов: 0    Средний: 0/5]

Компания TSMC начала строительство новых производственных мощностей для производства полупроводников по 2 нм технологии. Так, согласно отчету DigiTimes, размещенному @chiakokhua в Twitter, помимо строительства 2 нм центра исследований и разработок, TSMC также начала строительство производственных помещения. Новые объекты будут расположены недалеко от штаб-квартиры TSMC в научном парке Синьчжу, Тайвань. В отчете также подтверждаются первые подробности о технологическом процессе, в частности о том, что он будет использовать технологию Gate-All-Around (GAA).
Помимо усовершенствованных технологических процессов, TSMC также разработала четкие планы по ускорению продвижения передовых технологий упаковки (SoIC, InFO, CoWoS и WoW). Все эти технологии классифицируются компанией как «3D Fabric», хотя некоторые из них – на самом деле относятся к категории 2.5D. Эти технологии будут серийно производиться на предприятиях «ZhuNan» и «NanKe» со второй половины 2021 года. В качестве основного конкурента TSMC отмечается компания Samsung, у которой есть собственная технология трехмерной упаковки под названием X-cube, однако она менее привлекательна из-за высокой стоимости.

Похожие новости из раздела:

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Главные события

Актуальные новости

Scroll Up