Компания Samsung объявила о том, что начала массовое производство новых микросхем памяти LPDDR4X второго поколения. Новые чипы выпускаются по более тонкому 10 нм технологическому процессу. Благодаря этому номинальная тактовая частота оперативной памяти может достигать отметки 4266 МГц, с рабочим напряжением 0.6 В! При этом энергопотребление микросхем снижено на 10%. Пропускная способность чипов равна 31.4 ГБайт/сек. В первое время Samsung планирует наладить выпуск микросхем объемом 4, 6 и 8 ГБ, для использования их в мобильных устройствах. В дальнейшем емкость микросхем может быть увеличена.
Похожие новости из раздела:
- Intel может в процессоры Lunar Lake встроить память от Samsung.
- Samsung провела День технологий памяти 2023, представив новую память и технологии для эпохи «Гипермасштабируемого ИИ»
- JEDEC опубликовала новый стандарт памяти LPDDR5X
- Samsung 850 емкостью на 120 ГБ замечен на сайте