Компания Samsung объявила о том, что начала массовое производство новых микросхем памяти LPDDR4X второго поколения. Новые чипы выпускаются по более тонкому 10 нм технологическому процессу. Благодаря этому номинальная тактовая частота оперативной памяти может достигать отметки 4266 МГц, с рабочим напряжением 0.6 В! При этом энергопотребление микросхем снижено на 10%. Пропускная способность чипов равна 31.4 ГБайт/сек. В первое время Samsung планирует наладить выпуск микросхем объемом 4, 6 и 8 ГБ, для использования их в мобильных устройствах. В дальнейшем емкость микросхем может быть увеличена.