Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, сегодня объявила о начале массового производства вертикальной памяти NAND (V-NAND) 9-го поколения с трехуровневыми ячейками (TLC) емкостью один терабит (Тб), укрепляя свое лидерство в Рынок флэш-памяти NAND.
«Мы рады представить первую в отрасли V-NAND 9-го поколения, которая позволит сделать шаг вперед в будущих приложениях. Чтобы удовлетворить растущие потребности в флэш-решениях NAND, компания Samsung раздвинула границы в архитектуре ячеек и операционных схемах для нашего продукта следующего поколения», — сказал СунгХой Хур, руководитель подразделения флеш-продуктов и технологий подразделения памяти в Samsung Electronics. «Благодаря нашей новейшей модели V-NAND компания Samsung продолжит задавать тренд на рынке высокопроизводительных твердотельных накопителей высокой плотности (SSD), отвечающих потребностям грядущего поколения искусственного интеллекта».
Благодаря наименьшему в отрасли размеру ячеек и самой тонкой форме Samsung улучшила битовую плотность V-NAND 9-го поколения примерно на 50% по сравнению с V-NAND 8-го поколения. Новые инновации, такие как предотвращение помех в ячейках и продление срока службы ячеек, были применены для повышения качества и надежности продукции, а устранение фиктивных отверстий в каналах значительно уменьшило плоскую площадь ячеек памяти.
Кроме того, передовая технология Samsung «травление каналов» демонстрирует лидерство компании в технологических возможностях. Эта технология создает пути электронов путем укладки слоев пресс-формы и максимизирует производительность изготовления, поскольку позволяет одновременно сверлить самое большое в отрасли количество слоев клеток в структуре с двумя стопками. По мере увеличения количества слоев клеток способность прокалывать большее количество клеток становится важной, что требует более сложных методов травления.
V-NAND 9-го поколения оснащен флэш-интерфейсом NAND нового поколения «Toggle 5.1», который поддерживает увеличенную скорость ввода/вывода данных на 33% до 3,2 гигабит в секунду (Гбит/с). Наряду с этим новым интерфейсом Samsung планирует укрепить свои позиции на рынке высокопроизводительных твердотельных накопителей за счет расширения поддержки PCIe 5.0.
Потребление энергии также было улучшено на 10% за счет усовершенствований в конструкции с низким энергопотреблением по сравнению с предыдущим поколением. Поскольку сокращение энергопотребления и выбросов углекислого газа становится жизненно важным для клиентов, ожидается, что V-NAND 9-го поколения от Samsung станет оптимальным решением для будущих приложений.
В этом месяце компания Samsung начала массовое производство памяти V-NAND 9-го поколения TLC емкостью 1 ТБ, а во второй половине этого года — модели с четырехуровневыми ячейками (QLC).
Похожие новости из раздела:
- Samsung провела День технологий памяти 2023, представив новую память и технологии для эпохи «Гипермасштабируемого ИИ»
- В 2020 году память NAND Flash подорожает на 40%
- Transcend представляет широкую линейку SSD, выполненных по технологии 3D NAND
- Производители NAND ускоряют выпуск многослойных чипов