Компания Samsung намерена реализовать процесс производства 3 нм кремниевых пластин к 2022 году. Попутно с этим компания планирует провести некоторые существенные улучшения в технологии самих транзисторов. Ранее уже упоминалось, что Samsung работает над технологией FET Gate-All-Around FET, которая обеспечит намного лучший контроль транзисторного канала, предотвращая утечку тока через узлы меньшего размера. Однако сегодня Samsung рассказала чуть больше подробностей о своей новой технологии FET Multi Bridge Channel для 3 нм технологического процесса.
Во-первых, стоит отметить, что MCBFET является частью GAAFET, это означает, что GAAFET — это не отдельный продукт, а скорее разновидность концепций. Что касается конкретных технических характеристик MCBFET, то Samsung утверждает, что технология будет использовать на 50% меньше энергии, а производительность повысится на 30%.
Также будет большой прирост плотности — на один транзистор будет затрачено примерно 45% кремниевого пространства, используемого сейчас. Сравнение проводится с неуказанным 7 нм техпроцессом.
Вся эта информация крайне интересна, судя по ней, уже в ближайшем будущем мы можем получить большой рост производительности вычислительной техники, при одновременном снижении энергопотреблении.
Похожие новости из раздела:
- Samsung анонсировала новые OLED-модели мониторов Odyssey на выставке CES 2024
- Samsung показала свои достижения в ИИ и экосистеме на Galaxy Book4 во время выставки CES 2024.
- Samsung объявила о старте продаж ноутбуков Galaxy Book 4.
- Samsung представит новую партнерскую программу аксессуаров «Designed for Samsung Gaming Hub» на выставке CES 2024.