Samsung приступила к серийному производству 128 ГБ модулей памяти DDR4

Samsung начала серийное производства модулей памяти DDR4 объемом 128 Гб, предназначенных для корпоративных серверов и центров обработки данных. Первоначально, еще в 2014 году компания Samsung представила память стандарта 3D TSV DDR4 DRAM объемом 64 Гб. Теперь, за счет выпуска компанией новой памяти TSV RDIMM, появляется возможность применять память с ультравысоким объемом на корпоративном рынке. Новые модули TSV DRAM производства Samsung имеют больший объем и высокую энергоэффективность, обеспечивая при этом хорошие показатели надежности и высокую скорость работы. Модуль памяти 128 Гб TSV DDR4 RDIMM содержит в себе 36 микросхем, представляющих из себя сборку из четырёх кристаллов объёмом по 8 Гигабит каждый, что в сумме на модуль дает 144 кристалла. Производятся вышеуказанные кристаллы Samsung по 20-нм технологическому процессу и собираются на базе современной технологии пакетирования TSV. Помимо высокого объема, модуль 128 Гб TSV DDR4 обладает специальной конструкцией, при которой основной чип каждого пакета 4 Гб выполняет функцию буфера данных, что позволяет оптимизировать производительность и энергопотребление модуля. В результате, модуль памяти 128 ГБ TSV DDR4 RDIMM является энергоэффективным решением для серверов нового поколения. По заявлениям Samsung, новая память обеспечивает скорость до 2400 М,/с, что увеличивает производительность почти в два раза, снизив энергопотребление в половину по сравнению с  модулями памяти 64 Гб LRDIMM. Samsung намерена представить полноценную линейку новых высокопроизводительных модулей TSV DRAM в ближайшее время, включая модули 128 ГБ LRDIMM. Помимо этого, компания намерена выпустить модули TSV DRAM с более высокой производительностью, включая модули памяти 2667 и 3200 МГц. Samsung также планирует начать применять технологию TSV в модулях HBM и потребительских продуктах.

Похожие новости из раздела:

• Материнские платы ASRock X299 смогут принять до 2 Тб оперативной памяти
• Samsung представила SSD с пропускной способностью 6 ГБит/сек
• Micron анонсировала память RDIMM DDR5 объёмом 128 Гб с малой задержкой.
• AMD представила 64-ядерную рабочую станцию Lenovo ThinkStation P620