Южнокорейские гиганты Samsung и SK hynix планируют инвестировать около 1 350 трлн вон (примерно 870 млрд долларов) в развитие полупроводниковой отрасли и дата‑центров в ближайшие десять лет. Инвестиционная программа охватывает память, хранение данных и логические интегральные схемы: у SK hynix это DRAM и NAND Flash, у Samsung — DRAM, NAND Flash и логика (LSI).
Планы компаний выходят за рамки простого увеличения мощности фабрик и производства пластин: в программу входят создание дата‑центров для ИИ, развитие ёмкостных решений (батарей), производство дисплеев, создание инструментов для производства чипов, технологии травления, фотомаски и другие сопутствующие направления.
Первый этап, поставленный правительством Южной Кореи, — удвоить мощности по производству DRAM в течение пяти лет и значительно нарастить выпуск NAND Flash. К концу десяти лет обе компании добавят по 4–5 новых полупроводниковых заводов в своих южнокорейских кластерах, что приведёт к существенному росту рабочих мест и производственных мощностей. Это подтверждает намерение Южной Кореи сохранить лидерство в современном производстве памяти и накопителей.
Расширение уже получает конкретные технические подтверждения: SK hynix планирует установить 20 дополнительных машин Low‑NA EUV до 2027 года и приобрести две машины High‑NA EUV от ASML. Samsung заказал семь Low‑NA EUV для установки к концу 2027 года и также интегрирует High‑NA EUV в будущие производственные линии, отмечая положительный эффект от внедрения этих решений.