Samsung представила новую высокоскоростную память HBM2E

[Всего голосов: 1    Средний: 5/5]

Компания Samsung Electronics Co., Ltd., мировой лидер в области передовых полупроводниковых технологий, сегодня анонсировала свой новый продукт – новый стандарт высокоскоростной памяти HBM2E. Это произошло на конференции NVIDIA по технологиям графических процессоров (GTC). Новинка призвана обеспечить самую высокую производительность DRAM, для использования в суперкомпьютерах следующего поколения, графических системах и искусственном интеллекте (AI).
Новое решение, под обозначением Flashbolt, является первым в отрасли продуктом HBM2E, обеспечивающим скорость передачи данных до 3,2 Гбит / секунду, что на 33 процента быстрее, чем у HBM2 предыдущего поколения. Flashbolt имеет плотность 16 Гб на кристалл, что вдвое больше, чем у предыдущего поколения. Благодаря этим улучшениям один пакет Samsung HBM2E будет предлагать пропускную способность до 410 гигабайт в секунду (Гбит / с) и объем в 16 ГБ памяти. правда пока не понятно в каких продуктах, и как скоро, мы увидим эту память.

Похожие новости из раздела:

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Главные события





<meta name=”yandex-verification” content=”57a2f73f03038d8f” />

Актуальные новости

Scroll Up