Компания Samsung Electronics Co., Ltd., мировой лидер в области передовых полупроводниковых технологий, сегодня анонсировала свой новый продукт — новый стандарт высокоскоростной памяти HBM2E. Это произошло на конференции NVIDIA по технологиям графических процессоров (GTC). Новинка призвана обеспечить самую высокую производительность DRAM, для использования в суперкомпьютерах следующего поколения, графических системах и искусственном интеллекте (AI).
Новое решение, под обозначением Flashbolt, является первым в отрасли продуктом HBM2E, обеспечивающим скорость передачи данных до 3,2 Гбит / секунду, что на 33 процента быстрее, чем у HBM2 предыдущего поколения. Flashbolt имеет плотность 16 Гб на кристалл, что вдвое больше, чем у предыдущего поколения. Благодаря этим улучшениям один пакет Samsung HBM2E будет предлагать пропускную способность до 410 гигабайт в секунду (Гбит / с) и объем в 16 ГБ памяти. правда пока не понятно в каких продуктах, и как скоро, мы увидим эту память.
Похожие новости из раздела:
- Samsung провела День технологий памяти 2023, представив новую память и технологии для эпохи «Гипермасштабируемого ИИ»
- Японско-корейская торговая война подняла цены на память
- Samsung представила портативный SSD T5 EVO ёмкостью до 8 ТБ.
- Южная Корея обнародовала амбициозный план инвестиций в производство полупроводников