Компания Samsung Electronics Co., Ltd., мировой лидер в области передовых полупроводниковых технологий, сегодня анонсировала свой новый продукт — новый стандарт высокоскоростной памяти HBM2E. Это произошло на конференции NVIDIA по технологиям графических процессоров (GTC). Новинка призвана обеспечить самую высокую производительность DRAM, для использования в суперкомпьютерах следующего поколения, графических системах и искусственном интеллекте (AI).
Новое решение, под обозначением Flashbolt, является первым в отрасли продуктом HBM2E, обеспечивающим скорость передачи данных до 3,2 Гбит / секунду, что на 33 процента быстрее, чем у HBM2 предыдущего поколения. Flashbolt имеет плотность 16 Гб на кристалл, что вдвое больше, чем у предыдущего поколения. Благодаря этим улучшениям один пакет Samsung HBM2E будет предлагать пропускную способность до 410 гигабайт в секунду (Гбит / с) и объем в 16 ГБ памяти. правда пока не понятно в каких продуктах, и как скоро, мы увидим эту память.
Похожие новости из раздела:
На данный момент становится всё больше слухов о Radeon RX 8000 можно было бы ожидать…
XFX собирается выпустить свою новую видеокарту под названием Phoenix Nirvanа. Эта модель основана на флагманском…
В сети появляется всё больше слухов о процессорах Intel Core Ultra следующего поколения. На этот…
Выставка Computex 2024 уже не за горами, поэтому в ближайший месяц стоит ожидать парад слухов…
Компания SilverStone представила XE360-TR5, универсальный жидкостный охладитель ЦП для процессоров AMD Ryzen Threadripper серии 7000…
Инсайдер Raichu раскрыл интригующие подробности о будущей линейке процессоров компании для настольных ПК. Согласно утечкам,…