Во время проведения Samsung Tech Day 2021 компания представила несколько интересных идей о будущем технологий системной памяти и о том, как она планирует осуществлять свое производство. Начиная с последнего стандарта DDR5, компания намерена следовать документам JEDEC и предлагать некоторые модули с разгоном, которые превосходят спецификации, рекомендованные JEDEC. В то время как стандарт DDR5 определяет модули памяти с пропускной способностью 6400 МТ / с, Samsung будет разрабатывать модули, способные разгоняться до 8400 МТ / с. При этом они еще не подтверждены, так как все еще находятся в стадии разработки.
Компания также рассказала о стандарте DDR6, который якобы вдвое быстрее DDR5. Новый стандарт DDR6 все еще находится на ранней стадии разработки, и все, что мы знаем, это то, что количество каналов памяти на модуль увеличивается вдвое по сравнению с DDR5 – до четырех каналов. Количество банков памяти также увеличивается до 64.
Помимо DDR6 для настольных компьютеров и серверов, компания также работает над DDR6 с низким энергопотреблением (LPDDR6) для мобильных устройств. А вот память LPDDR5 от Samsung уже поступит в массовое производство с использованием процесса 1a нм в начале 2022 года. Базовая скорость для модулей DDR6 предположительно достигнет 12800 МТ / с, в то время как модули с разгоном покорят отметку в 17 000 МТ / с.
Затем Samsung рассказала о своих предложениях памяти для графических ускорителей, где в игру вступают GDDR и HBM. Ожидается, что появится новый стандарт GDDR — GDDR6+, который увеличивает скорость с 18 000 до 24 000 млн операций в секунду. Предпочтительным техпроцессом для GDDR6+ будет 1z нм, причем корейский гигант хочет начать производство этих модулей уже в этом месяце.
После этого дорожные карты компании показывают, что стандарт GDDR7 заменит GDDR6+ и будет предлагать скорость 32000 МТ / с. В GDDR7 также будет представлена новая функция под названием «функция защиты от ошибок в реальном времени», назначение и реализация которой пока неизвестны. Предположительно, это какая-то форма ECC для GDDR или что-то подобное.
Кроме того, компания упомянула, что память HBM3 будет готова к массовому производству во втором квартале 2022 года и будет предлагать скорость 800 ГБ / с.
Похожие новости из раздела:
XFX China собирается выпустить новую видеокарту под названием Phoenix Nirvana. Эту модель мы раньше не…
Несколько недель назад появился слух, предполагающий, что NVIDIA выпустит новые варианты серий RTX 4070 и…
Пару недель назад появились сообщения о том, что NVIDIA рекомендует пользователям процессоров Intel Raptor Lake…
Компания GIGABYTE TECHNOLOGY Co. Ltd, ведущий производитель материнских плат, видеокарт и аппаратных решений, выпустила новейшую…
Cooler Master, мировой лидер в производстве компонентов для ПК, игровой периферии и технологических решений для…
Подтверждено, что мобильный процессор AMD следующего поколения Ryzen 9000 «Strix Point», который придёт на смену…