Компания Samsung Electronics Co., Ltd., мировой лидер в области передовых технологий памяти, сегодня объявила о разработке HBM3E 12H, первой в отрасли 12-стековой оперативной памяти HBM3E и продукта HBM самой высокой емкости на данный момент.
HBM3E 12H от Samsung обеспечивает непревзойденно высокую пропускную способность до 1280 гигабайт в секунду (ГБ/с) и лучшую в отрасли емкость 36 гигабайт (ГБ). По сравнению с 8-стековым HBM3 8H оба аспекта улучшились более чем на 50%.
«Поставщикам услуг искусственного интеллекта в отрасли все чаще требуются HBM с большей емкостью, и наш новый продукт HBM3E 12H был разработан, чтобы удовлетворить эту потребность», — сказал Йонгчеол Бэ, исполнительный вице-президент по планированию продуктов памяти в Samsung Electronics. «Это новое решение памяти является частью нашего стремления к разработке основных технологий для высокопроизводительных HBM и обеспечению технологического лидерства на рынке высокопроизводительных HBM в эпоху искусственного интеллекта».
В HBM3E 12H применяется усовершенствованная термокомпрессионная непроводящая пленка (TC NCF), позволяющая 12-слойным продуктам иметь ту же высоту, что и 8-слойные, чтобы соответствовать текущим требованиям к упаковке HBM. Ожидается, что эта технология принесет дополнительные преимущества, особенно при использовании более высоких стеков, поскольку отрасль стремится уменьшить деформацию кристалла, возникающую при использовании более тонкого кристалла. Samsung продолжает снижать толщину своего материала NCF и добилась наименьшего в отрасли зазора между чипами в семь микрометров (мкм), а также устранила пустоты между слоями. Эти усилия привели к увеличению вертикальной плотности более чем на 20% по сравнению с продуктом HBM3 8H.
Усовершенствованная технология TC NCF от Samsung также улучшает тепловые свойства HBM, позволяя использовать выступы различного размера между чипами. В процессе приклеивания чипа меньшие выступы используются в зонах передачи сигналов, а более крупные размещаются в местах, требующих отвода тепла. Этот метод также помогает повысить выход продукта.
Поскольку приложения искусственного интеллекта растут в геометрической прогрессии, ожидается, что HBM3E 12H станет оптимальным решением для будущих систем, которым потребуется больше памяти. Его более высокая производительность и емкость позволят клиентам более гибко управлять своими ресурсами и снизить совокупную стоимость владения (TCO) для центров обработки данных. По оценкам, при использовании в приложениях ИИ по сравнению с внедрением HBM3 8H средняя скорость обучения ИИ может быть увеличена на 34%, а количество одновременных пользователей служб вывода может быть увеличено более чем в 11,5 раз.
Samsung начала предлагать покупателям свой HBM3E 12H, а массовое производство запланировано на первую половину этого года.
Похожие новости из раздела:
- Samsung представила портативный SSD T5 EVO ёмкостью до 8 ТБ.
- Samsung представит новую партнерскую программу аксессуаров «Designed for Samsung Gaming Hub» на выставке CES 2024.
- Samsung анонсировала новые OLED-модели мониторов Odyssey на выставке CES 2024
- Samsung показала свои достижения в ИИ и экосистеме на Galaxy Book4 во время выставки CES 2024.