Компания Samsung намерена реализовать процесс производства 3 нм кремниевых пластин к 2022 году. Попутно с этим компания планирует провести некоторые существенные улучшения в технологии самих транзисторов. Ранее уже упоминалось, что Samsung работает над технологией FET Gate-All-Around FET, которая обеспечит намного лучший контроль транзисторного канала, предотвращая утечку тока через узлы меньшего размера. Однако сегодня Samsung рассказала чуть больше подробностей о своей новой технологии FET Multi Bridge Channel для 3 нм технологического процесса.
Во-первых, стоит отметить, что MCBFET является частью GAAFET, это означает, что GAAFET — это не отдельный продукт, а скорее разновидность концепций. Что касается конкретных технических характеристик MCBFET, то Samsung утверждает, что технология будет использовать на 50% меньше энергии, а производительность повысится на 30%.
Также будет большой прирост плотности — на один транзистор будет затрачено примерно 45% кремниевого пространства, используемого сейчас. Сравнение проводится с неуказанным 7 нм техпроцессом.
Вся эта информация крайне интересна, судя по ней, уже в ближайшем будущем мы можем получить большой рост производительности вычислительной техники, при одновременном снижении энергопотреблении.
Похожие новости из раздела:
Sharkoon Technologies, международный поставщик высококачественных высокопроизводительных компонентов и периферийных устройств для ПК, запускает Rebel C20…
Corsair объявила о выпуске своих первых вентиляторов для ПК толщиной 30 мм — серии RS…
Компания ASUS анонсировала серию ноутбуков ASUS Chromebook CZ, специально предназначенных для школьников дошкольного возраста. Они…
AMD сегодня исполнилось 55 лет. Компания была основана 1 мая 1969 года и прошла практически…
XFX China собирается выпустить новую видеокарту под названием Phoenix Nirvana. Эту модель мы раньше не…
Несколько недель назад появился слух, предполагающий, что NVIDIA выпустит новые варианты серий RTX 4070 и…