Компания Samsung на этой неделе объявила об успешной окончании разработки микросхем памяти DDR4 второго поколения. Новые микросхемы могут похвастаться более высокими рабочими частотами и сниженным энергопотреблением. Микросхемы DDR4 II (8 Гбит/ 3600 МГц) могут предложить на 15% более высокую производительность практически во всем спектре приложений. Микросхемы уже прошли внутренние тестирования в компании и теперь будут предложены крупным производителям модулей ОЗУ и оптовым поставщикам по всему миру. Создание второго поколения микросхем памяти DDR4 попутно ускорит разработку и более новых стандартов: DDR5, GDDR6, HBM3.