Компания SK Hynix Inc. объявила о завершении разработки памяти стандарта HBM2E DRAM, с самой высокой пропускной способностью. Новый стандарт HBM2E обладает примерно на 50% большей пропускной способностью, чем у конкурентных решений. HBM2E от компании SK Hynix обеспечивает пропускную способность в 460 ГБ (Гигабайт) в секунду. Это число достигается благодаря пропускной способности в 3,6 Гбит / с (гигабит в секунду) для каждого из 1024 контактов (вход / выход). Благодаря использованию технологии TSV (Through Silicon Via), объем одного пакета может достигать 16 Гбайт — восемь 16-гигабитных чипов вертикально уложенных друг в друга.
SK Hynix HBM2E — это оптимальное решение для четвертой промышленной эры, предназначенное для высокопроизводительных графических процессоров, суперкомпьютеров, систем машинного обучения и систем искусственного интеллекта, которым требуется максимальный уровень производительности памяти. В отличие от обычных продуктов DRAM, которые принимают формы модульных пакетов и устанавливаются на системные платы, микросхема HBM тесно связана с процессором, что обеспечивает еще более быструю передачу данных.
Похожие новости из раздела:
- Японско-корейская торговая война подняла цены на память
- SK Hynix произвела первые чипы памяти DDR5
- Южная Корея обнародовала амбициозный план инвестиций в производство полупроводников
- Китай начинает производство собственных чипов DRAM